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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电压参考电路-CN201810170736.1在审
发明人：蒂埃里·迈克尔·阿兰·西卡尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种电压参考电路包括：主放大器，其具有输出端以提供参考电压输出信号，其中所述输出端连接到第一输入端；偏移级，其连接到所述主放大器的第一输入端与第二输入端中的至少一个；以及PN结。在使用中，所述PN结被配置成在第一结端与第二结端之间提供结电压，其中所述结电压随着温度升高而减小。在使用中，所述偏移级被配置成在所述第一输入端与所述第二输入端之间提供偏移电压，其中所述偏移电压随着温度升高而增大。
输入端电压参考电路偏移电压主放大器结电压偏移级输出端连接参考电压输出信号输出端减小配置

[发明专利]电压参考电路-CN202010159874.7在审
发明人：蒂埃里·迈克尔·阿兰·西卡尔 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种电压参考电路，包括：电阻轨迹，该电阻轨迹具有第一力触点和第二力触点，该第一力触点和该第二力触点被配置成使电流穿过该电阻轨迹；第一感测触点、第二感测触点和第三感测触点，其中该感测触点中的每一个沿着该第一力触点与该第二力触点之间的该电阻轨迹布置在不同位置处，并且该感测触点被布置成限定第一电阻器和第二电阻器；第一组件布置，该第一组件布置包括具有温度相关电压偏置的P‑N结；第二组件布置；其中该第一组件布置和该第二组件布置中的一个或两个提供反偏置电压，该反偏置电压用于抵消该P‑N结的该温度相关电压偏置，使得该电压参考电路被配置成提供恒定输出参考电压。
电压参考电路

[发明专利]电压参考电路-CN200610065589.9无效
发明人：王为善;张坤山;陈美秀 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：电压参考电路包括正温度系数电流产生器、负温度系数电流产生器、以及第一电阻。在正温度系数电流产生器内，有两晶体管操作在弱反转区，且第二电阻串接在两晶体管的栅极之间。负温度系数电流产生器，通过负温度系数电压压降在第三电阻上，产生负温度系数电流。正温度系数电流与负温度系数电流一同流经第一电阻，进而产生稳定的参考电压。
电压参考电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN201310492861.1在审
发明人：光石翔;铃木登志生;田上浩康;执行信彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及参考电压产生电路。本发明提供了包括第一电路的参考电压产生电路，该第一电路包含串联连接的可变电阻器与PN结器件。使第一电流流过串联连接的可变电阻器和PN结器件，该第一电流具有与PN结器件的端间电压的温度特性的非线性分量对应的温度特性。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压源电路-CN201710156150.5在审
发明人：邵博闻 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种参考电压源电路，包含第一～第四PMOS，第一～第三NMOS，以及第一及第二电阻。的源极通过第一电阻接地；第三PMOS的栅、漏短接后接第四PMOS的栅极，第三PMOS的源极接电源，第四PMOS的漏极接第三NMOS的漏极，第三NMOS的源极接第二NMOS的源极；第四PMOS的漏极输出参考电压本发明参考电压源电路通过增加旁路，在不增加电流的情况下具有更高的电源抑制比。
参考电压电路

[发明专利]参考电压源电路-CN201810087599.5在审
发明人：邵博闻 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种参考电压源电路，由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管，第一NMOS晶体管～第四NPMOS晶体管，第四电阻和第五电阻组成。本发明电路结构简单，且具备一定驱动能力。
参考电压源电路电路结构电阻组成驱动能力晶体管电阻

[发明专利]参考电压产生电路-CN202010419636.5在审
发明人：胡耀升;黄立宇 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路包括一电荷供应电路，在一第一期间提供一第一参考电压；以及一电压供应电路，在一第二期间提供一第二参考电压；其中，所述电压供应电路在所述第一期间未提供所述第二参考电压
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN202210726818.6在审
发明人：于翔;许晶 -专利权人：圣邦微电子（苏州）有限责任公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种参考电压产生电路。参考电压产生电路包括：比较器、调压电路、以及失调电压补偿电路。其中，比较器的第一输入端耦接失调电压补偿电路的输出端。比较器的第二输入端耦接调压电路的输出端。比较器被配置为根据失调电压补偿电路输出的补偿电压与调压电路输出的参考电压生成比较电压。调压电路被配置为根据比较电压来调节参考电压以使得参考电压与补偿电压相等，并向输出电压端提供参考电压。失调电压补偿电路被配置为根据来自输入电压端的输入电压和参考电压来生成补偿电压。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压电路-CN202110979063.6在审
发明人：洪埜泰;张图尹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种参考电压电路，利用比较器比较参考电压和电容的电压而输出比较信号，控制器根据比较信号确认参考电压以及漏电流的状况。若电容的电压下降过快，控制器决定开关元件的切换频率，以有效维持电容的电压。
参考电压电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN202211514072.9在审
发明人：陈家隆;黄育江 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种参考电压产生电路，其包括：偏置电路、第一和第二晶体管、第一和第二反馈电路、第一和第二采样电路、第一和第二电流放大电路。偏置电路根据偏置电流在第一和第二节点处分别生成第一和第二偏置电压。第一晶体管的控制极耦接第一节点。第一晶体管的第一极耦接参考电压输出端和第二晶体管的第一极。第二晶体管的控制极耦接第二节点。第一采样电路采样流过第一晶体管的第一电流。第二采样电路采样流过第二晶体管的第二电流。第一反馈电路根据第一电流生成第一反馈电流。第二反馈电路根据第二电流生成第二反馈电流。第一电流放大电路将第一电流放大为第一放大电流。第二电流放大电路将第二电流放大为第二放大电流。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN202210993630.8在审
发明人：王钊 -专利权人：无锡中感微电子股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压产生电路，其包括：带隙基准电压产生电路，其用于提供带隙基准电压VBG，并通过其输出端输出所述带隙基准电压VBG；低通滤波器，其输入端与所述带隙基准电压产生电路的输出端相连，所述低通滤波器用于把所述带隙基准电压VBG中位于其截止频率之上的噪声信号滤除，以产生参考电压VO，并通过其输出端输出所述参考电压VO。与现有技术相比，本发明在传统的带隙电路之后串联一个低通滤波电路，该低通滤波电路可以把其截止频率之上的噪声信号滤除，从而可以减小参考电压产生电路的输出节点的噪声。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN201310443743.1有效
发明人：温文莹;陈宗良 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压产生电路，用以产生一参考电压，包括一带隙电路与一补偿电路。带隙电路包括一启动电路、一电流镜电路与一输出电路。启动电路用以启动带隙电路。电流镜电路用以产生第一电流。输出电路用以根据第一电流产生一参考电流。补偿电路与带隙电路并联耦接于一接合端点，用以产生一补偿电流。补偿电流小于参考电流，参考电流具有一第一温度系数，补偿电流具有与第一温度系数反向的一第二温度系数，参考电流与补偿电流合并于接合端点，使得在该接合端点的该参考电压的一温度系数的一绝对值小于该第一温度系数的一绝对值与第二温度系数的一绝对值以此，使得使得带隙参考电路所输出的参考电压更为稳定。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN201410151054.8有效
发明人：徐光磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种参考电压产生电路，包括4个NMOS管和3个PMOS管；三个PMOS管的栅极连接在一起、源极都接电源电压；第一NMOS管的栅极和漏极、第一PMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极连接在一起并由该连接位置处输出参考电压第一和二NMOS管的阈值电压相同，参考电压的大小由第一NMOS管的阈值电压和第二NMOS管的源漏电压以及第二和第一NMOS管的沟道的宽长比的比值确定。本发明电路结构非常简单并具有较高的电压精度。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压产生电路-CN200910119045.X有效
发明人：廖英闵;林育信 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种参考电压产生电路，包含：闭环支路，包含放大器，包含正输入端、负输入端及输出端，放大器的正输入端接收输入电压；第一MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端，第一MOS晶体管的源极耦接放大器的负输入端；第二MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏极，第二MOS晶体管的源极耦接第一电压源，第二MOS晶体管的漏极耦接第一MOS晶体管的源极本发明的参考电压产生电路，在低电压环境中可正常运作，可快速稳定并输出幅度相对较大的参考电压，并具有较少的功率消耗。
参考电压产生电路

[发明专利]参考电压驱动电路-CN201710326104.5有效
发明人：李福乐;刘佳;贾雯;王志华 -专利权人：深圳清华大学研究院
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种参考电压驱动电路，所述参考电压驱动电路包括负反馈电路及驱动支路；所述负反馈电路包括第一、第二差分运放，第一、第二电平移位电路，以及复制支路；所述复制支路被设置为流过所述复制支路上的电流与流过所述驱动支路上的电流的比例关系为1：K；所述驱动支路接收所述反馈电路提供的第一及第二偏置电压并输出第一、第二驱动电压。所述参考电压驱动电路通过第一、第二电平移位电路能实现宽输出电压范围，所述的驱动支路利用NMOS管和PMOS组成推挽级的输出，提高驱动电压的建立速度。
参考电压驱动电路

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